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H系列管芯產(chǎn)品

產(chǎn)品型號 單指柵寬 (μm) 總柵寬 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典型功率 (W) 效率@2.6GHz 48V (%) 增益@2.6GHz 48V (dB) Download
D2H620DE1 1000 80.00 1445 5870 620 75 18.3
D2H500DE1 780 62.40 1225 5900 500 72 18.4
D2H400DE1 620 49.60 1065 5900 400 73 19.2
D2H320DB1 410 39.36 915 6075 320 76 20.1
D2H320DE1 490 39.20 935 5870 320 76 19.3
D2H290DE1 440 35.20 955 5795 290 77 20.2
D2H235DE1 390 28.08 835 5440 135 79 20.3
D2H210DE1 410 24.60 855 4860 210 80 20.5
D2H185DE1 390 21.84 905 4125 185 80 20.0
D2H150DE1 350 16.80 795 3410 150 80 20.4
D2H135DE1 335 14.74 975 4165 135 80 21.0
D2H120DE1 355 12.78 860 2710 120 81 20.8
D2H095DE1 310 9.92 785 2685 95 81 21.0
D2H065DE1 350 6.30 880 2000 65 82 21.5
D2H065DB1 230 6.44 845 1995 65 82 21.8
D2H055DB1 225 5.40 785 1755 55 82 22.0
D2H046DA1 340 4.76 880 1640 46 82 21.3
D2H042DB1 210 4.20 785 1515 42 82 22.7
D2H039DB1 215 3.87 785 1395 39 82 22.7
D2H039DA1 335 4.02 845 1092 39 82 22.1
注:
1. 效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據。

D2H620DE1


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D2H620DE1

D2H620DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸1445*5870mm
應用電壓48V
典型功率620W
效率
75%
增益18.3Db











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 2400 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H500DE1


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D2H500DE1

D2H500DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸1225*5900mm
應用電壓48V
典型功率500W
效率
72%
增益18.4Db











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 1872 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H400DE1


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D2H400DE1

D2H400DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸1065*5900mm
應用電壓48V
典型功率400W
效率
73%
增益19.2Db











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 1488 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H320DB1


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D2H320DB1

D2H320DB1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸915*6075mm
應用電壓48V
典型功率320W
效率
76%
增益20.1Db











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 1180 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H320DE1


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D2H320DE1

D2H320DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸935*5870mm
應用電壓48V
典型功率320W
效率
76%
增益19.3Db











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 1176 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H290DE1


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D2H290DE1

D2H290DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸955*5795mm
應用電壓48V
典型功率290W
效率
77%
增益20.2dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 1056 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H235DE1


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D2H235DE1

D2H235DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸835*5440mm
應用電壓48V
典型功率235W
效率
79%
增益20.3dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 842 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H210DE1


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D2H210DE1

D2H210DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸855*4860mm
應用電壓48V
典型功率210W
效率
80%
增益20.5dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 738 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H185DE1


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D2H185DE1

D2H185DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸905*4125mm
應用電壓48V
典型功率185W
效率
80%
增益20.0dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 655 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H150DE1


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D2H150DE1

D2H150DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸795*3410mm
應用電壓48V
典型功率150W
效率
80%
增益20.4dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 504 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H135DE1


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D2H135DE1

D2H135DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸975*4165mm
應用電壓48V
典型功率135W
效率
80%
增益21.0dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 442 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H120DE1


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D2H120DE1

D2H120DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸860*2710mm
應用電壓48V
典型功率120W
效率
81%
增益20.8dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 383 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H095DE1


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D2H095DE1

D2H095DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸785*2685mm
應用電壓48V
典型功率95W
效率
81%
增益21.0dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 297 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H065DE1


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D2H065DE1

D2H065DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸880*2000mm
應用電壓48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.5dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 189 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H065DB1


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D2H065DB1

D2H065DB1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸845*1995mm
應用電壓48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.8dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 193 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H055DB1


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D2H055DB1

D2H055DB1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸785*1755mm
應用電壓48V
典型功率55W
效率
82%
增益22.0dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 162 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H046DA1


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D2H046DA1

D2H046DA1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸880*1640mm
應用電壓48V
典型功率46W
效率
82%
增益21.3dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 143 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H042DB1


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D2H042DB1

D2H042DB1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸785*1515mm
應用電壓48V
典型功率42W
效率
82%
增益22.7dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 126 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H039DB1


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D2H039DB1

D2H039DB1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸785*1395mm
應用電壓48V
典型功率39W
效率
82%
增益22.7dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 116 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H039DA1


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D2H039DA1

D2H039DA1是一款碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn),是各種射頻和微波應用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數單位
產(chǎn)品尺寸845*1092mm
應用電壓48V
典型功率39W
效率
82%
增益22.1dB











效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數據

仿真測試條件:VDD = 48 V, IDQ = 120 mA, 頻率 = 2.6 GHz